UV 발광 다이오드 소개
자외선 발광 다이오드는 약 400nm의 파장을 가진 근자외선을 방출하는 발광 다이오드(LED)를 말합니다. 자외선은 종종 위조 지폐를 식별하는 데 사용되며 일부 UV LED 조명은 나이트 클럽과 파티에서 형광 물질을 더 밝게 빛나게하는 데 사용됩니다.
조명 원리
자외선 발광 다이오드는 근자외선을 방출하는 발광 다이오드(led)를 말한다. 발광 원리는 일반 발광 다이오드의 발광 원리와 동일합니다. 반도체 재료가 빛을 생산하는 방법에 대한 기본 사항은 50 년 전에 이해되어 왔으며 1960 년에 최초의 상업용 다이오드가 생산되었습니다. Led는 영어 발광 다이오드 (발광 다이오드)의 약어입니다. 기본 구조는 리드 선반에 놓인 다음 내부 코어 와이어를 보호하기 위해 에폭시 수지로 밀봉 된 전기 발광 반도체 재료 조각이므로 LED는 충격 저항이 우수합니다. 발광 다이오드의 핵심 부분은 p형 반도체와 n형 반도체로 구성된 웨이퍼이며, p형 반도체와 n형 반도체 사이에는 pn 접합이라고 불리는 전이층이 있다. 일부 반도체 재료의 pn 접합에서, 주입 된 소수 캐리어가 대다수 캐리어와 재결합 할 때, 초과 에너지는 빛의 형태로 방출되어 전기 에너지를 광 에너지로 직접 변환합니다. 역전압이 pn 접합부에 인가되면 소수 캐리어가 주입하기 어렵기 때문에 빛을 방출하지 않습니다. 사출 전기 발광의 원리에 의해 만들어진 다이오드의 이러한 종류는 일반적으로 led로 알려진 발광 다이오드라고합니다. 순방향 작동 상태에있을 때 (즉, 순방향 전압이 양쪽 끝에 인가됨), 전류가 LED 애노드에서 캐소드로 흐를 때, 반도체 결정은 자외선에서 적외선까지 다른 색상의 빛을 방출하고, 빛의 강도는 전류와 관련이 있습니다.
기술적 특징
1) 3535 SMD LED 보라색 빛은 유리 캡슐화 및 니켈 도금 합금 쉘을 채택하여 보라색 빛의 발광 효율을 향상시키고 보라색 빛의 감쇠를 줄이며 수명을 연장시킵니다. 2) 두 핀 모두 금도금되어 있습니다. 3) 높은 발광 강도. 4) 질은 안정되어 있고 믿을 수 있습니다.
광원 파장
1. 보라색 : 405nm - 순수한 보라색 400nm - 깊은 보라색 2. 근자외선 395nm - 붉은 색 깊은 보라색 uv-a 형 자외선 3, 370nm - 나무 유리 딥 퍼플에 의해 필터링 할 때 어두운 색을 나타내는 거의 보이지 않는 빛. 4. 자외선 (uv) 살균 램프 λρ = 254nm 또는 253.7nm, 점 광원 λρ = 365nm, λρ = 185nm 이하의 오존 형성 - 진공 자외선 (uv-v), 파장 100-200nm - 단파 자외선 (uv-c), 파장은 200-280nm - 중파 자외선 (uv-b), 파장은 280-315nm - 장파 자외선 (uv-a), 파장은 315-380nm - 가시광선 (가시 광선), 파장은 400 - 760nm
개발 사례
미국 과학자들은 255nm의 파장과 0.57w의 전력, 250nm의 파장과 0.16w의 전력을 가진 자외선 발광 다이오드 (leds)를 성공적으로 생산했습니다. 이 장치는 아직 패키징되지 않았으며 팀은 플립 칩 본딩을 통해 전력 레벨을 3 ~ 5 배 높이기를 희망합니다. 이 대역의 초심자외선(uduv) 광원은 향후 생물학적 및 화학적 센서의 여기 광원으로서 수은 전구를 대체할 수 있습니다. 사우스 캐롤라이나 대학의 Asif khan et al.은 최대 72 %의 알루미늄을 함유 한 고품질 알간 층을 재배하여 발광 다이오드 구조의 클래딩으로 사용하여 uduv 구성 요소를 제작했습니다. 사파이어를 LED 기판으로 사용하여 연구자들은 알른 버퍼 층을 첫 번째 층으로 증착 한 다음 10 층 aln / algan 상부 격자를 증착 한 다음 1.4 미크론 두께의 al0.72ga0.28n 배치 클래딩을 수행했습니다. 연구팀은 알루미늄 함량이 72 %인 알간 층이 250nm의 파장에서 재료를 여전히 투명하게 만들기 위해 선택되었으며,이 층은 구성 요소의 성능을 결정하는 열쇠라고 말했다. 활성 영역에는 세 개의 양자 웰이 포함되어 있으며 알루미늄 함량을 변경하여 방출 파장을 250 ~ 200 nm 사이에서 조정할 수 있습니다. 연구진은 펄스 바이어스 조건에서 파장 255nm의 200 평방 미크론 모듈과 파장 250nm의 150 평방 미크론 모듈을 테스트했습니다. 이 둘의 피크 출력 전력에 해당하는 여기 전류는 각각 200ma와 300ma였다. 에미터의 외부 양자 효율은 각각 0.015 % 및 0.01 %입니다.
응용 프로그램 필드
UV 발광 다이오드는 금속 균열, 균열 감지, 광촉매 광원, 통화 감지 및 계수 장비, 위조 방지 산업 및 의료 측정 및 생체 보안 감지, 유압 누출 감지 및 기타 분야에서 널리 사용됩니다.
잠재 고객
220nm와 350nm 사이의 파장을 가진 고출력 심자외선 발광 다이오드는 살균, 정수, 치료, 고밀도 광학 기록, 고색 렌더링 LED 조명 및 오염 물질의 고속 분해 및 치료에 널리 사용됩니다. 지금까지 엑시머 레이저 및 다양한 주파수 배가형 레이저와 같은 가스 및 고체 매체가있는 UV 레이저 및 가스 램프는 심자외선 광원의 주류이지만 큰 크기, 짧은 수명 및 높은 가격의 단점을 가지고 있으며 실제로 적용하기가 어렵습니다. 반도체 고휘도 심자외선 LED 및 딥 자외선 lds의 사용은 소형화를 달성하고 저렴하고 효율적이며 수명이 긴 자외선 광원을 얻을 수 있으며 응용 전망이 더 넓습니다.
