808nm 850nm 940nm SMD Vcsel 레이저 다이오드 칩

808nm 850nm 940nm SMD Vcsel 레이저 다이오드 칩 사양:

상품명	808nm 850nm 940nm SMD Vcsel 레이저 다이오드 칩
부품 번호	GD-3535대808-1CC2-DR43B
칩 브랜드	중국 DR 43mil 레이저 칩
입력	2.2vdc 최대 4000mA 구동 전류를 갖춘 10와트
유량	방사선 방출 전력 4000mA에서 3500mW
조명 효율성	N/A, 보이지 않는 빛
색상	적외선 808nm, 850nm 및 940nm
힘	10 와트
세라믹 패키지 소재	ALN 세라믹베이스
조명 각도	20도 평면 석영 유리 렌즈
브랜드 및 제조업체	GMLED, GMKJ
보증	3 년
OEM 서비스	1. SKD 부품 가능 2. 알루미늄 PCB 보드 LED 조립 서비스도 여기에서 제공됩니다.

808nm 850nm 940nm SMD Vcsel 레이저 다이오드 칩 사진:

808nm 850nm 940nm SMD Vcsel 레이저 다이오드 칩 스타 pcb 보드 납땜 서비스:

808nm 850nm 940nm SMD Vcsel 레이저 다이오드 칩 패키지 치수:

808nm 850nm 940nm SMD Vcsel 레이저 다이오드 칩 전기 사양:

 

매개변수	상징	정황	최소	평균	맥스	단위
순방향 전압	VF	IF=4000mA	--	2.2	--	V
열 저항 접합부 보드	RΘJ-B	IF=4000mA	--	5	--	도 /W
방사 플럭스	Φe	IF=4000mA	--	3500	--	엠와트
피크파장	λp	IF=4000mA	--	808 또는 850 또는 940	--	나모
순방향 전압의 온도 계수	∆VF/∆T	IF=4000mA	−−	-2	−−	mV/도
역전류	IR	VR=5V	−−	−−	2	μ A
시야각	2Θ1/2	IF=4000mA	−−	20	−−	도

 

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