Guangmai Technology는 전문진한 노란색 SMD LED 3030 2835 3V 6V.

조정 가능한 넓은 밴드 갭으로 인해 InGaN 필름은 가시광선 분야에서 광범위한 응용 전망을 가지고 있습니다. 마이크로 LED 풀 컬러 디스플레이의 사용은 가장 잠재적인 응용 프로그램 중 하나입니다. 미래의 스마트폰, 시계, 가상 현실 안경 등 소형 디스플레이는 마이크로 LED 기술의 이점을 누릴 것입니다.

현재 마이크로 LED 기술은 두 가지 주요 과제에 직면해 있습니다. 첫 번째는 대량 전달 기술을 구현하는 것이 매우 어렵다는 것이고, 다른 하나는 효율적이고 신뢰할 수 있는 적색광 마이크로 LED 칩이 부족하다는 것입니다. 현재 적색 LED는 AlGaInP 재질로 되어 있으며, 일반적인 칩 사이즈에서 효율이 60% 이상 높다. 그러나 칩 크기가 마이크로미터 수준으로 줄어들면 효율은 1% 이하로 급격히 떨어집니다. 또한, AlGaInP 물질의 열악한 기계적 특성은 물질 전달에 새로운 어려움을 더합니다. 물질 전달은 칩 처리 및 배치 동안 균열을 피하기 위해 물질이 우수한 기계적 강도를 가져야 하기 때문입니다.

InGaN 재료는 기계적 안정성이 더 우수하고 정공 확산 길이가 짧을 뿐만 아니라 InGaN 기반 녹색 및 청색 마이크로 LED와도 호환됩니다. 빨간색 마이크로 LED에 더 나은 선택입니다. 그러나 InGaN 기반 적색광 양자우물은 인듐 편석이 심각한 문제가 있어 적색광 양자우물에서 비방사성 재결합이 증가하여 효율이 저하된다. 지난 20년간의 연구에서 InGaN 기반 적색 LED의 전력 변환 효율은 2.5% 미만이었습니다. 인듐 분리 문제는 InGaN 기반 적색 LED의 개발을 심각하게 방해했습니다. 따라서 고효율 InGaN 기반 적색 LED를 얻기 위해서는 인듐 편석 문제를 어떻게 해결할 것인가가 관건이다.

최근 난창 대학의 장펑이(Jiang Fengyi) 연구원 연구팀은 2020년 Photonics Research, Volume 8, Issue 11에서 최신 고효율 InGaN 기반 주황색-적색 LED 결과를 시연했습니다.

(a) 고효율 주황색 LED 에피택셜 재료 구조의 개략도 (b) 단면의 TEM 테스트 결과

이 작업은 실리콘 기판 질화갈륨 기술을 기반으로 하여 인듐 갈륨 질화물 적색광 양자우물 및 황색광 양자우물 교대 성장 방법을 V자형 피트 기술과 결합하여 높은 In 조성 분리 문제를 크게 완화합니다. 적색광 양자 우물. V 자형 pn 접합 및 양자 우물 밴드 갭 엔지니어링을 기반으로 적색광 양자 우물의 방사선 재결합 속도가 크게 증가합니다.

이 기술을 사용하여 일련의 고효율 InGaN 기반 주황색-적색 LED를 성공적으로 준비했습니다. 발광 파장이 594, 608, 621 nm일 때 전력 변환 효율은 각각 30.1%, 24.0%, 16.8%이다. 동일한 파장대역 InGaN 기반 LED의 이전에 보고된 결과와 비교하여 광 효율이 약 10배 더 높습니다.

연구원들은 이 기술이 미래에 개선의 여지가 더 많다고 믿습니다. 동시에, 팀의 실험 결과는 InGaN 재료가 디스플레이 애플리케이션을 위한 적색광 픽셀 칩 생산에서 큰 잠재력과 밝은 전망을 가질 것임을 증명합니다.

amber and yellow color