LED 포장 공정으로 인해 LED의 구조가 다르기 때문에 포장 공정에는 약간의 차이가 있지만 주요 공정은 동일합니다. LED 포장의 주요 프로세스는 다음과 같습니다 : 다이 본딩 → 와이어 본딩 → 밀봉 접착제 → 절단 발을 → → 포장.
고출력 발광 다이오드 포장의 핵심 기술
2.1 포장 기술에 대한 요구 사항. 고전력 LED 포장에는 빛, 전기, 열, 구조 및 기술이 포함되며 이러한 요인은 독립적이고 영향력이 있습니다. 포장, 전기, 구조 및 기술의 목적은 수단이며, 열이 핵심이며, 성능은 포장 레벨의 구체적인 표현이다. 공정 호환성과 생산 비용을 줄이는 것을 고려하여 LED 패키지 설계 및 칩 설계를 동시에 수행해야 합니다. 그렇지 않으면, 칩이 제조된 후, 칩 구조는 패키지의 요구로 인해 조정될 수 있으며, 이는 제품 개발 주기 및 비용을 연장할 수 있거나, 심지어 대량 생산을 달성하지 못할 것이다.
2.2 패키지 구조 설계 및 열 방출 기술 발광 다이오드의 광전 변환 효율은 20%에서 30%로, 입력 전기 에너지의 70%에서 80%가 열로 변환됩니다. 칩의 열 방출이 핵심입니다. 저전력 발광 다이오드 포장은 일반적으로 실버 접착제 또는 절연 접착제를 사용하여 반사판 컵의 칩을 결합하고 금 전선 (또는 알루미늄 와이어)을 용접하여 내부 및 외부 연결을 완료하고 마지막으로 에폭시 수지로 캡슐화합니다.
2.3 광학 설계 기술 다른 사용 제품은 발광 다이오드의 색상 좌표, 색상 온도, 색상 렌더링, 광강도 및 공간 분포에 대한 요구 사항이 다릅니다. 장치의 광 추출 효율을 개선하고 더 나은 광 추출 각도와 광 분배 곡선을 달성하기 위해 칩 리플렉터와 렌즈를 광학적으로 설계해야 합니다.
2.4 포팅 접착제의 선택은 포팅 접착제의 역할은 두 가지 점을 가지고 있습니다 : (1) 기계적으로 칩과 금 와이어를 보호; (2) 라이트 가이드 소재로서, 더 많은 빛을 이끌어 낼 수 있다. 포장 하는 동안, 발광 다이오드 칩에서 방출 되는 빛에 의해 발생 하는 손실 주로 포함: (1) 발광 다이오드 칩의 출구 인터페이스에서 광자의 반사 손실 굴절 인덱스의 차이 로 인해 (즉 프레넬 손실); (2) 광학 흡수; (3) 총 내부 반사 손실. 따라서 칩 표면에 상대적으로 높은 굴절률로 투명한 광학 재료층을 코팅하면 인터페이스에서 광자의 손실을 줄이고 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 일반적으로 사용되는 포팅 접착제는 에폭시 수지와 실리카 젤입니다. 에폭시 수지는 점도가 낮고, 유동성이 좋고, 적당한 경화 속도, 경화 후 의 거품없음, 매끄러운 표면, 좋은 광택, 높은 경도, 좋은 방수 및 방진 성능, 습기 및 대기 노화에 대한 저항, 저비용 및 발광 다이오드 포장이 바람직하다. 실리카 젤은 높은 광 투과, 좋은 열 안정성, 높은 굴절률, 낮은 수분 흡수 및 낮은 스트레스의 특성을 갖는다. 에폭시 수지보다 낫지만 비용이 더 높습니다.
2.5 인광분말 코팅량 및 균일성 제어 기술 고출력 백색광 발광 다이오드의 발광 효율 및 광 품질은 인광 분말 및 공정의 선택과 관련이 있다. 인광의 선택은 여기 파장 과 칩 파장의 일치를 포함, 입자 크기와 균일성, 흥분 효율 등. 인광 코팅은 혼합 백색광 균일성을 만들기 위해 블루 칩의 발광 분포에 따라 조정되며, 그렇지 않으면 블루 옐로우 원 현상이 발생하여 광원의 품질에 심각한 영향을 미치고 흥분 효율을 크게 감소시킵니다.
